据传骁龙 670 是一款采用下一代 Kryo 核心的 10nm 芯片

Snapdragon 660 刚刚在移动领域站稳脚跟，但有关其继任者的传言已经开始浮出水面。这款芯片被称为 Snapdragon 670，据称将于 2018 年初推出，并成为该系列中第一款达到 10nm 的芯片。

更有趣的是，据称该芯片将采用八核 Kryo CPU——2 个高功率核心（Kryo 360）和 6 个低功耗核心。请注意，Kryo 360 将是第三代核心，而骁龙 835 和 660 使用第二代核心（但它们在高功率和低功耗方面分为 4+4）。

这款新处理器将使用 ARM 的 DynamIQ 技术，该技术在 Cortex-A75 和 A55 上有所体现。它是 big.LITTLE 的后继者，灵活性更高。

同样，GPU 也转向了下一代 Adreno - 6 系列，而当前的 Snapdragon 使用 Adreno 5 系列。

看来，Snapdragon 670 将由三星在其 10nm LPP 技术上打造，这是对当前 Snapdragon 835 和 Exynos 8895 芯片中使用的 10nm LPE 的改进。注：LPE 和 LPP 分别指 Low Power Early 和 Plus。

来源（中文）