三星代工业务已开始量产基于第二代 10nm FinFET 工艺的芯片。这是对当前 10nm 芯片的改进,性能提高了 10%,功耗降低了 15%。 新芯片将在 2018 年初为手机做好准备,到年底将有越来越多的手机上市。高通选择台积电而非三星来制造骁龙 845,因此首批出厂的 10nm LPP 芯片很可能是 Exynos 型号以及骁龙 670(10nm LPP)等芯片组。 三星位于韩国华城市的 S3 代工厂三星希望继续改进这项技术,最终达到 8nm LPP。这种不断改进的工艺使得新芯片的设计无需进行大修。 该公司还计划在未来采用 EUV 技术制造 7nm FinFET 芯片。这些芯片将与即将生产的 10nm 芯片在同一 S3 工厂生产。 来源 |
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