三星开始量产全球首款 512GB eUFS 3.0 存储解决方案

在发布新款三星 Galaxy S10 系列后不久，该公司又发布了另一项重大发布。有人认为这对整个移动行业同样重要。我们谈论的是首款 512GB eUFS 3.0 存储，与上一代相比，其性能有了很大的提升。

新款 512GB eUFS 3.0 芯片已量产，性能比 eUFS 2.1 芯片高出一倍。三星电子内存销售和营销执行副总裁更进一步表示，新标准在存储性能方面终于赶上了当今的超薄笔记本电脑。

512GB eUFS 3.0 内存堆叠了八个第五代 512 千兆位 V-NAND 芯片，同时利用了新的高性能控制器。它的读取速度可达 2,100 MB/s，是当前 eUFS 2.1 芯片的两倍。事实上，读取速度比在 SATA 接口上运行的传统 SSD 快四倍左右。写入速度应该在 410 MB/s 左右——与 SATA SSD 差不多。

IOPS 也有一些提升 - 随机读取 IOPS 为 63,000，随机写入 IOPS 为 68,000。相比之下，这比 microSD 卡快了大约 630 倍。

除了 512GB 芯片外，三星现在还生产 128GB 芯片，并计划在今年下半年某个时候开始生产 256GB 和 1TB 芯片。

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