三星在这方面表现不俗。在开始生产 512GB eUFS 3.0 内存芯片后,该公司现在开始生产用于智能手机的 12GB DRAM 模块。 它们基于 LPDDR4X 标准,使用自去年开始就已推出的先进 10nm (1y-nm) 制造工艺。三星通过将六个 16 千兆位 LPDDR4X 芯片堆叠到一个紧凑的封装中来实现这一目标,同时功耗也更低。结果是模块厚度仅为 1.1 毫米。 性能方面,该封装可实现34.1 GB/s的数据传输率,同时由于DRAM容量的增加而保持较低的功耗。 预计新芯片最早将于今年进入下一代高端智能手机领域。 来源 |
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